LN60A01ES-LF 时间：2025/8/19 10:18:37 阅读：25

LN60A01ES-LF是一款由LRC（乐山无线电）制造的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高开关性能，适用于各种需要高效能、高可靠性的电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：60A
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值11.5mΩ（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

LN60A01ES-LF采用了先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件的RDS(on)最大值为11.5mΩ，在VGS=10V时能够提供出色的导通性能。
　　此外，LN60A01ES-LF具备较高的电流承载能力，额定漏极电流可达60A，适用于大功率应用。其漏源电压（VDS）为100V，能够在较高的电压环境下稳定工作，具有良好的电压耐受能力。
　　该MOSFET采用了TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，能够有效降低PCB空间占用，提高装配效率。同时，该封装形式具有较强的机械稳定性和热稳定性，适用于工业级和汽车电子应用。
　　LN60A01ES-LF的工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种极端环境条件，确保在高温或低温环境下仍能稳定运行。其栅源电压范围为±20V，提供了较大的驱动灵活性，适用于多种驱动电路设计。

应用

LN60A01ES-LF广泛应用于各类电源管理系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的电源模块和工业控制设备。
　　在电动汽车和新能源领域，LN60A01ES-LF可用于电池管理系统（BMS）中的功率开关，提供高效的电能管理方案。同时，该MOSFET也可用于电源适配器、UPS（不间断电源）、LED照明驱动电源等消费类电子产品中。
　　由于其优异的热稳定性和机械强度，LN60A01ES-LF也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等。其宽工作温度范围使其能够在严苛的汽车环境中可靠运行。