LN60A01EPLF 是一款由Lontek(蓝特)公司制造的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道功率MOSFET。该器件主要用于电源管理和功率转换应用,具有较低的导通电阻、高效率和快速开关特性。该型号的封装形式为TO-220,适用于各种工业级和消费类电子设备。
类型:N沟道
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):110A
导通电阻(Rds(on)):≤1.7mΩ(典型值)
功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:TO-220
LN60A01EPLF 的核心优势在于其低导通电阻(Rds(on)),这使得它在高电流应用中能够显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具备较高的电流承载能力,最大连续漏极电流可达110A,适合用于大功率电源转换器、DC-DC变换器、电机驱动器等高要求的应用场景。
其TO-220封装提供了良好的散热性能,有助于在高负载条件下维持稳定的工作温度。同时,LN60A01EPLF 还具有快速开关响应能力,降低了开关损耗,提升了整体系统性能。由于其高可靠性和耐用性,这款MOSFET广泛应用于工业控制、通信设备、新能源系统以及汽车电子等领域。
LN60A01EPLF 主要用于需要高效率和大电流处理能力的电力电子系统中。典型应用包括但不限于:开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、电动工具、电机驱动器、光伏逆变器、UPS不间断电源系统、LED照明驱动器等。此外,该器件也可用于负载开关、热插拔控制器、电源分配系统等工业自动化控制领域。
SiR142DP-T1-GE3, IRLB8721PBF, FDP6676, IRF1405, STP110N6F6