LN4SB60 时间：2025/12/26 19:30:15 阅读：17

LN4SB60是一款由深圳市蓝微新源科技有限公司（Lanwe New Energy）推出的高效率、低功耗的同步整流控制器芯片，主要应用于反激式（Flyback）开关电源中的次级侧同步整流。该芯片通过检测MOSFET的漏源极电压（VDS）来智能控制外部N沟道MOSFET的导通与关断，从而替代传统肖特基二极管，显著降低整流损耗，提高电源转换效率，满足各类高能效电源适配器、充电器及小功率电源系统的绿色节能要求。LN4SB60适用于宽输入电压范围的AC-DC电源系统，在5V至24V输出电压范围内表现优异，尤其适合用于USB PD快充、手机充电器、笔记本适配器、智能家居电源等对效率和体积有较高要求的应用场景。其内置多重保护机制，包括过温保护、欠压锁定（UVLO）、短路保护等，确保系统在各种异常工况下安全可靠运行。

参数

工作电压范围：4.5V ~ 28V
　　启动电压：≤4.5V
　　静态电流：≤150μA
　　关断阈值电压：约 -50mV
　　导通延迟时间：典型值 35ns
　　关断延迟时间：典型值 45ns
　　最大驱动能力：灌电流/拉电流 0.5A / 0.3A
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：SOT-23-6
　　参考地电位：Source Pin 或 Kelvin Connection

特性

LN4SB60采用自供电架构，无需额外绕组供电，通过集成的高压调节器直接从输出端取电，简化了电源设计并降低了系统成本。其核心控制逻辑基于精确的VDS检测技术，能够准确识别MOSFET的导通状态，避免因变压器反向恢复或噪声干扰导致的误开通或误关断。当MOSFET导通时，芯片实时监测其VDS电压，一旦检测到电流即将反向或电压上升超过设定阈值，立即关断MOSFET，防止体二极管导通造成的能量损耗，从而实现高效同步整流。该芯片具备优异的抗噪声能力，内部集成滤波电路和前沿消隐（Leading Edge Blank, LEB）功能，有效抑制开关瞬态过程中的电压尖峰和毛刺，提升系统稳定性。
　　此外，LN4SB60支持宽范围输出电压应用，适用于CCM、DCM和QR等多种反激工作模式，兼容主流初级侧控制器（Primary Side Controller），可广泛用于单路或多路输出电源设计。其低启动电压特性有助于在轻载或待机状态下快速启动并维持正常工作，进一步优化待机功耗表现。芯片还具备自动退磁检测功能，在每个开关周期结束时判断变压器是否完全退磁，确保MOSFET仅在合适时机导通，避免直通风险。内置的栅极驱动电路具有良好的驱动能力，可直接驱动低栅极电荷（Qg）的N-MOSFET，减少外围元件数量，提高整体可靠性。同时，芯片集成了全面的保护机制，如过温保护（OTP）在芯片结温过高时自动关闭输出，待温度下降后自动恢复；欠压锁定（UVLO）防止在供电不足时产生不稳定行为；短路保护则在输出异常时限制电流，保护主功率器件。这些特性使得LN4SB60在复杂电磁环境和多变负载条件下仍能保持稳定高效的运行。

应用

适用于各类反激式开关电源中的次级同步整流，广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑的AC-DC充电器与适配器；支持USB Type-C PD/QC等快充协议的高效率电源设计；智能家居设备、IoT终端、路由器、监控摄像头等小型电子产品的内置电源模块；工业控制电源、LED驱动电源、无线充电发射端电源系统等对效率和散热有严格要求的场合。由于其小封装和高集成度，特别适合空间受限的高密度电源设计。