LN4890是一款专为高性能和高可靠性设计的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、LED照明和电池管理系统等场景。它基于先进的硅工艺技术制造,具备优异的导通特性和开关性能,能够在高频率和高负载条件下稳定运行。LN4890通常采用TO-252或DFN等封装形式,适用于表面贴装技术,便于散热和集成。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):典型值为8mΩ(在Vgs=10V)
功率耗散(Pd):100W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:TO-252
LN4890具备低导通电阻(Rds(on)),这显著降低了导通损耗并提高了效率。其高耐压特性使其适用于多种中高功率应用场景。该器件的栅极驱动电压范围较宽,通常可在4.5V至20V之间工作,便于与不同类型的驱动电路兼容。此外,LN4890具有优异的热稳定性和过载能力,能够在高温环境下保持稳定运行。
该MOSFET采用了优化的芯片设计,提高了开关速度并减少了开关损耗,从而支持高频操作。其封装设计有助于有效散热,延长器件的使用寿命。LN4890还具有较高的抗静电能力,增强了在复杂电磁环境中的可靠性。
此外,LN4890的封装形式支持表面贴装,简化了PCB布局并提高了生产效率。该器件符合RoHS环保标准,适合用于环保型电子产品设计。
LN4890常用于各类电源管理系统中,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电源管理模块。在电机驱动电路中,它可用于高效控制电机的启停和转速。在LED照明系统中,LN4890可作为恒流驱动开关,实现高效的亮度调节。此外,它也广泛应用于电池管理系统(BMS)中,用于控制充放电过程,提高电池的安全性和使用寿命。
在工业自动化设备中,LN4890可用于驱动继电器、传感器和其他高功率负载。在汽车电子系统中,它可用于车身控制模块、电动助力转向系统和车载充电器等应用。由于其高可靠性和耐久性,LN4890也适用于户外和工业环境中的恶劣工作条件。
Si4890BDY, IRFZ44N, FDP6680, AO4490