时间：2025/8/13 13:59:33
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LN4501BLT1G是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和开关电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：4.5A
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
最大栅极-源极电压（VGS）：20V
导通电阻（RDS(on)）：0.044Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-223
LN4501BLT1G具有低导通电阻，可以减少功率损耗并提高系统效率。其快速开关特性有助于降低开关损耗，提高电源转换器的工作频率。此外，该器件采用SOT-223封装，体积小巧，适合高密度PCB布局。在高温环境下仍能保持稳定性能，适用于多种工业和消费类应用。
该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态过压情况下的可靠性。栅极驱动电压范围较宽，适用于不同的控制电路设计。其高可靠性使其在汽车电子、工业自动化和电源管理系统中得到广泛应用。
该器件常用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制、LED驱动电路以及各种电源管理应用。由于其高可靠性和小尺寸，特别适用于对空间和效率要求较高的便携式设备和工业控制系统。
Si4410BDY-T1-GE3, FDS4410A, IRLL2703PbF
