LN4266T1G 时间：2025/8/13 16:08:06 阅读：15

LN4266T1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于电源管理和负载开关电路中，具备较高的导通性能和较低的导通电阻，适用于中高功率的开关应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：6.5A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

LN4266T1G具备低导通电阻特性，有助于减少功率损耗并提高系统效率。该MOSFET采用TO-252封装，具备良好的热性能，便于在PCB上安装和散热。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V和较低的4.5V驱动，适用于多种控制电路设计。
　　该MOSFET具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适合在DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池供电系统中使用。
　　其高可靠性与安森美半导体的制造工艺相结合，使其成为工业控制、汽车电子和消费类电源管理应用的理想选择。