类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约22mΩ（典型值，取决于VGS）
　　栅极电荷（Qg）：约29nC
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

LN3415DT2AG具有多项高性能特性，包括低导通电阻、高电流承载能力、快速开关速度和优异的热性能。其低RDS(on)特性有助于降低导通损耗，提高系统效率，特别适用于高频开关应用。该器件的高栅极电荷特性支持稳定的开关操作，减少开关损耗并提高系统可靠性。此外，LN3415DT2AG采用TSSOP封装形式，具有良好的散热性能，适用于紧凑型电路设计。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，并具有较高的抗雪崩能力，增强了器件在恶劣工况下的可靠性。其高栅源电压容限（±20V）允许在较宽的驱动电压范围内使用，增强了设计的灵活性。LN3415DT2AG还具有较低的输入电容和输出电容，有助于提高开关速度，减少高频工作时的动态损耗。

LN3415DT2AG主要应用于高效能电源转换系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电源管理系统。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的电源管理模块。此外，该器件也适用于电机控制、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统中的功率开关应用。由于其优异的热性能和可靠性，LN3415DT2AG也可用于车载电子系统、电源适配器以及不间断电源（UPS）等高要求场景。

Si4410BDY, IRF7413PBF, FDS4410A, NTD4859N