时间：2025/8/13 9:02:06
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LN3410DT2AG 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适合在高效率电源系统中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：5.6A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（典型值）
最大功耗（Pd）：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
LN3410DT2AG MOSFET采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件在高电流负载下仍能保持良好的性能，具有较高的热稳定性和耐用性。其TO-252封装形式具有良好的散热能力，适合在空间受限的PCB设计中使用。
此外，该MOSFET具有较高的栅极绝缘能力，栅源电压可达±20V，确保了在复杂工作环境下的可靠性。其高开关速度特性使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。同时，该器件具有良好的抗雪崩能力，能够在高应力条件下提供稳定的性能，从而提高系统的整体可靠性。
LN3410DT2AG MOSFET主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统、同步整流器以及各种高效率功率转换电路。其低导通电阻和高开关速度特性使其特别适合用于需要高效能和紧凑设计的电源系统，例如笔记本电脑适配器、电源管理模块和工业自动化设备中的功率控制单元。
Si2302DS, FDN340P, 2N7002K, AO3400A
