类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.6A（在Tc=25℃）
　　功耗（Pd）：1.4W（表面贴装）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOT-223
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值 85mΩ @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.1V ~ 2.5V（在Id=250μA时）
　　输入电容（Ciss）：约520pF（典型值）

LN2605T1G采用先进的Trench沟槽技术，使得其在同类产品中具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了能效。该器件的SOT-223封装形式具有良好的热性能，有助于在高电流应用中保持稳定的运行温度。
　　此外，LN2605T1G具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达5.6A，适用于需要高电流输出的电源转换电路。其栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平驱动，适用于多种控制电路设计。
　　该MOSFET具有较高的耐用性和可靠性，能够在-55℃至+150℃的工作温度范围内稳定运行，适合在各种工业和汽车电子环境中使用。其栅源电压最大可达±20V，提供了一定的过压保护能力，增强了器件在复杂电磁环境中的稳定性。
　　由于其低电容特性（如输入电容Ciss为520pF），LN2605T1G在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗，提高系统效率。

LN2605T1G广泛应用于各类电源管理系统和开关电路中。常见的应用包括DC-DC升压/降压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及工业自动化控制设备。
　　在电源转换器中，LN2605T1G作为主开关元件，能够实现高效率的能量转换，尤其适用于中等功率的便携式设备和电源模块。其低导通电阻和高电流能力使其在电池供电设备中表现优异，能够延长电池使用寿命。
　　在电机控制和驱动电路中，LN2605T1G可以作为H桥结构中的功率开关，实现对电机的正反转控制和调速功能。由于其具备良好的热稳定性和抗过载能力，适用于各种需要频繁启停或承受冲击负载的场合。
　　此外，该器件还可用于负载开关电路中，实现对高功率负载的快速接通和断开控制，保护主控电路免受过载和短路的影响。

Si2305DS, AO3400, IRF7404, FDS6675, NTD14N03R2G