时间：2025/8/13 4:02:18
阅读：21
LN239N3T5G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件广泛应用于功率放大、开关电路以及电源管理领域，具有良好的热稳定性和较高的可靠性。由于其封装形式为TO-220，因此适合于需要高效散热的应用场景。
类型: NPN
最大集电极-发射极电压（VCEO）: 40V
最大集电极电流（IC）: 1.5A
最大功耗（PD）: 15W
电流增益（hFE）: 100 @ IC=150mA, VCE=5V
过渡频率（fT）: 100MHz
封装类型: TO-220
LN239N3T5G具备优异的电气性能和热稳定性，适用于高要求的工业和消费类电子产品。其NPN结构允许高效的电流放大和开关操作，最大集电极-发射极电压为40V，能够承受较高的电压应力。最大集电极电流为1.5A，使得该晶体管适用于中等功率的开关和放大电路。
此外，该器件的最大功耗为15W，结合其TO-220封装的散热特性，能够在较高负载下稳定工作。过渡频率（fT）为100MHz，表明该晶体管在高频应用中也表现出色，适合用于射频（RF）和高速开关电路。
电流增益（hFE）在IC=150mA、VCE=5V时可达100，表明其具备良好的放大能力。这使得LN239N3T5G在音频放大、马达控制、DC-DC转换等应用中表现出色。此外，安森美半导体的制造工艺确保了该器件的高可靠性和长寿命，适合用于对稳定性要求较高的工业控制系统。
LN239N3T5G常用于电源开关、功率放大、马达控制、DC-DC转换器、音频放大器以及各类工业自动化设备中的信号处理和功率控制电路。由于其高频特性和良好的热管理能力，该晶体管也广泛应用于通信设备和消费类电子产品中。
2N3904, BC547, 2SC2222
