LN235N3T5G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。该器件采用了先进的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)技术,能够提供极低的导通电阻和快速的开关速度,从而实现更高的效率和更小的系统尺寸。
相比传统的硅基MOSFET,LN235N3T5G 在高频操作下具有显著的优势,包括更低的开关损耗和更高的功率密度。其封装设计也优化了散热性能,使得它在高功率应用场景中表现出色。
型号:LN235N3T5G
类型:增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
额定电压:650V
额定电流:235A
导通电阻:3.5mΩ(典型值,@25°C)
栅极电荷:75nC(最大值,@Vgs=6V)
输入电容:1900pF(典型值,@Vds=400V)
最大工作结温:175°C
封装形式:TO-247-4L
LN235N3T5G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提升整体效率。
2. 快速的开关速度,支持高频操作,减少磁性元件的体积,从而缩小整个系统的尺寸。
3. 高额定电压(650V),使其适合广泛的工业和消费类电源应用。
4. 内置反并联二极管,简化电路设计并提高可靠性。
5. 支持高达175°C的工作结温,满足严苛的热环境要求。
6. TO-247-4L 封装增强了散热性能,并提供独立的源极引脚以优化栅极驱动回路设计。
这些特性使得 LN235N3T5G 成为一种理想的选择,尤其在需要高效率和紧凑设计的应用场景中。
LN235N3T5G 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括服务器电源、通信电源和工业电源。
2. DC-DC 转换器:用于电动汽车充电设备、不间断电源(UPS)以及太阳能逆变器。
3. 电机驱动:适用于工业自动化设备中的高性能电机控制。
4. LED 驱动器:提供高效的照明解决方案。
5. 其他高功率电子设备:如激光器驱动、焊接机等。
由于其高频特性和高效率表现,LN235N3T5G 特别适合那些对能效和系统尺寸有严格要求的应用。
LN200N65G
LMG3411R030
STGAP100
GAN063-650WSA