LN2308LT1G 时间：2025/8/14 2:31:40 阅读：30

LN2308LT1G是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理、DC-DC转换、负载开关以及电机控制等应用。该器件由ON Semiconductor生产，采用先进的工艺制造，提供高效的功率转换性能。LN2308LT1G具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和良好的热稳定性，适合在中高功率场合中使用。该MOSFET封装为TSOP，便于表面贴装，适用于紧凑型电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.4A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.044Ω（最大）@ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TSOP

特性

LN2308LT1G具备多项优良特性，适合广泛的应用场景。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，这对于电池供电设备或高能效电源系统尤为重要。
　　其次，该MOSFET具有较高的耐压能力，漏源电压可达30V，适用于多种中低压功率转换应用。此外，其栅极驱动电压范围宽广，支持常见的5V至10V驱动电路，兼容多种控制IC和微控制器。
　　LN2308LT1G的热性能优异，封装设计有助于快速散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。该器件还具备良好的雪崩能量承受能力，提升了系统在突发过压或感性负载切换时的可靠性。
　　由于其TSOP封装体积小、重量轻，适合用于便携式电子设备、通信设备、工业控制模块等对空间要求较高的场合。

应用

LN2308LT1G广泛应用于多种电子系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）等。在汽车电子、消费类电子产品、工业自动化设备、通信模块中均有广泛应用。
　　例如，在笔记本电脑、平板电脑和智能手机中，LN2308LT1G可用于电源切换和功率调节；在工业控制设备中，它可以作为高效率的功率开关；在LED驱动电路中，该器件可提供稳定的电流控制。