时间：2025/7/3 13:41:19
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LN1130P122MR-G 是一款由 Littelfuse 公司生产的功率半导体器件，属于 TVS（瞬态电压抑制器）二极管阵列系列。该器件主要用于保护敏感的电子设备免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他瞬态过压事件的影响。LN1130P122MR-G 采用紧凑型封装设计，非常适合于消费类电子产品、通信设备和工业应用中的电路保护需求。
LN1130P122MR-G 的典型应用场景包括 USB 端口、HDMI 接口、以太网端口以及其他高速数据线的保护。它具有低电容特性，能够在不影响信号完整性的前提下提供高效的 ESD 防护。
工作电压：12V
反向击穿电压：13.3V
峰值脉冲电流：17A
箝位电压：24.9V
结电容：5pF
响应时间：1ps
最大工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
LN1130P122MR-G 提供卓越的瞬态电压抑制能力，具有以下特点：
1. 极低的电容值（5pF），确保对高速信号的影响最小化。
2. 快速响应时间（1ps），能够有效捕获快速瞬态过压事件。
3. 高度可靠的性能，符合 IEC 61000-4-2 标准中规定的 ±15kV 接触放电和 ±30kV 空气放电要求。
4. 小型化 SOD-323 封装设计，节省 PCB 空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代绿色电子产品制造流程。
6. 能够承受高达 17A 的峰值脉冲电流，保证在极端条件下依然可靠。
LN1130P122MR-G 广泛应用于各种需要高可靠性保护的场景，具体包括：
1. 消费类电子产品中的接口保护，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等的 USB 和 HDMI 端口。
2. 工业控制系统的信号线路保护。
3. 通信设备中的天线端口防护。
4. 汽车电子系统中的 CAN 总线和 LIN 总线保护。
5. 医疗设备中的传感器接口防护。
由于其低电容和快速响应特性，LN1130P122MR-G 是保护高速数据线的理想选择。
LN1130P122MR-A, LN1130P122MR-B
