时间：2025/8/15 21:04:51
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LN108N3T5G是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于各种电源管理应用中。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性。其封装形式为TO-220AB，适用于需要高效开关性能和紧凑设计的电路。LN108N3T5G能够在高电流和高电压条件下稳定工作，具有良好的耐用性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：11A
漏源击穿电压：100V
栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω
封装类型：TO-220AB
工作温度范围：-55°C至175°C
LN108N3T5G具有多个关键特性，使其适用于广泛的功率应用。其低导通电阻（Rds(on)）为0.045Ω，可减少导通损耗，提高系统效率。该器件支持高达100V的漏源电压和11A的连续漏极电流，适合中高功率设计。此外，LN108N3T5G采用了先进的封装技术，提高了散热性能，从而增强了器件在高负载条件下的稳定性。其栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V驱动电路，简化了栅极控制电路的设计。内置的体二极管能够提供反向电流保护，适用于电机驱动和电源切换应用。该MOSFET还具有快速开关特性，减少开关损耗，提高整体系统性能。
LN108N3T5G广泛应用于各种电力电子设备中，包括DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制、电源模块、负载开关以及工业自动化设备。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。例如，在DC-DC降压转换器中，LN108N3T5G可用于主开关元件，以实现高效率的能量转换。在电机驱动应用中，它可以作为H桥的高侧或低侧开关，提供可靠的控制和保护。此外，该MOSFET还可用于电池充电电路和高功率LED驱动器，确保稳定运行。
IRF1010E, FDP1010N, FQP10N10L
