类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：60V
　　漏极电流（ID）：3A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为80mΩ（典型值可能为60mΩ）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V至2.5V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

LN03N060TZHG 采用先进的沟槽式功率MOSFET技术，具有较低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了能效。该器件在高温环境下表现出良好的稳定性和可靠性，适用于工业级温度范围。此外，其高电流承载能力和低开关损耗使其非常适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电源管理模块和负载开关。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，允许在多种控制电路中灵活使用。
　　在热管理方面，LN03N060TZHG 的TO-252封装设计有助于快速散热，确保在高功率操作下的稳定性。该器件还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定工作。同时，其低输入电容和门极电荷使其在高频应用中表现出色，有助于提高系统效率和响应速度。
　　从设计角度来看，LN03N060TZHG 提供了优异的性价比，适用于各种中低功率的电源管理场合。其坚固的结构和优化的参数设计使其在实际应用中能够承受一定的过载和冲击，确保系统长期稳定运行。

LN03N060TZHG 广泛应用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电机驱动器和功率放大器。它也可用于消费类电子产品、工业控制设备和汽车电子系统的电源管理模块中。

Si2302DS-T1-GE3
　　NDS355AN
　　FDD3600W
　　FDMS86101
　　IPD65R360CFD