晶体管类型：NPN双晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　功耗（PD）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSSOP

LMURH1660CFTG具有多项优异的电气和机械特性，确保其在多种应用中的稳定性和可靠性。其内部集成的两个NPN晶体管具有相同的电气特性，便于在需要匹配晶体管的电路中使用，例如差分放大器和双稳态电路。每个晶体管的集电极-发射极电压（VCEO）为30 V，集电极-基极电压（VCBO）为50 V，发射极-基极电压（VEBO）为5 V，能够满足大多数中低功率应用的需求。此外，该器件的最大集电极电流为100 mA，适合用于小信号放大和开关应用。
　　LMURH1660CFTG采用TSSOP封装，具有较小的体积和较高的集成度，非常适合用于高密度PCB设计。该封装还具有良好的热管理能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作。器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适合在恶劣的工业环境中使用。此外，该器件的功耗为300 mW，能够在保证性能的同时有效降低功耗，提高系统的能效。

LMURH1660CFTG广泛应用于各种电子设备和系统中，特别是在需要高性能和小型化设计的场景。常见的应用包括信号放大电路、逻辑电平转换、开关控制电路、传感器接口电路、音频放大器和数字逻辑电路。由于其内部两个晶体管的匹配性较好，因此特别适合用于差分放大器和模拟比较器等需要精确匹配晶体管特性的电路设计。此外，该器件在工业自动化设备、消费类电子产品和通信设备中也有广泛的应用。
　　在信号放大应用中，LMURH1660CFTG的两个晶体管可以分别用于前置放大和后级放大，提高信号的增益和稳定性。在开关控制电路中，该器件可以作为低功耗开关使用，实现对负载的高效控制。在逻辑电平转换电路中，LMURH1660CFTG可以用于将不同电压电平的信号进行转换，以实现不同电路模块之间的信号兼容性。

BC847BDSX, NUD3160MNTBG