类型：NPN 双晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　集电极-基极电压（Vcb）：50V
　　发射极-基极电压（Veb）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 150°C

LMUN5336DW1T1G 内部集成了两个完全独立的 NPN 晶体管，每个晶体管都具有高电流增益（hFE）特性，使其在低电压和低电流条件下也能实现高效能操作。该器件的饱和电压较低，有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，其 SOT-236 封装不仅节省空间，还具有良好的热稳定性和机械强度，适用于各种便携式设备和高密度电路板设计。
　　该器件具有良好的温度稳定性和低漏电流特性，在高温环境下依然能保持稳定的工作状态。每个晶体管的基极、集电极和发射极引脚均独立引出，便于设计者灵活配置电路，例如用于达林顿对管、开关电路、LED 驱动、逻辑电平转换等应用。
　　由于其封装符合 RoHS 环保标准，因此适用于现代环保型电子产品制造。该器件还具有良好的抗静电性能和过温保护能力，增强了整体的可靠性。

LMUN5336DW1T1G 主要用于需要双晶体管结构的电路设计中，如数字开关电路、LED 显示驱动、继电器驱动、电平转换电路、放大器前置级、传感器接口电路等。在汽车电子、消费类电子产品、工业控制设备和通信模块中均有广泛应用。
　　例如，在微控制器系统中，它可以作为 GPIO 引脚扩展的开关元件，驱动 LED、小型继电器或蜂鸣器等负载；在传感器电路中，可用于信号放大或缓冲；在电源管理系统中，也可用于负载切换或稳压电路中的控制部分。

LMUN5336DW1T1G 可以与 LMUN5236DW1T1G（不同 hFE 特性）或 BCX56-10 互换使用，具体需根据电路设计需求进行选型。