晶体管类型：双NPN晶体管（带偏置电阻）
　　总功耗（PD）：300 mW
　　集电极-发射极最大电压（VCEO）：50 V
　　集电极-基极最大电压（VCBO）：50 V
　　发射极-基极最大电压（VEBO）：5 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-363（6引脚）

LMUN5330DW1T1G 的核心特性在于其集成化设计和内置偏置电阻。每个NPN晶体管的基极与发射极之间集成了一个电阻网络（通常为一个上拉电阻和一个下拉电阻），这使得该器件在逻辑电路中非常实用，可以省去外部偏置电阻的使用，从而减少PCB布局的复杂性和元件数量。
　　该器件的两个晶体管在电气上是独立的，因此可以用于多个独立的开关或电平转换电路。此外，该器件具有较高的电压耐受能力，集电极-发射极最大电压（VCEO）为50 V，适用于多种中等电压应用。
　　由于其SOT-363小型封装，LMUN5330DW1T1G非常适合用于高密度PCB设计和便携式电子产品中。此外，其最大功耗为300 mW，在常规应用中无需额外的散热措施即可稳定工作。
　　该器件还具有良好的温度稳定性，可在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作，适用于工业级和汽车电子等要求较高的环境。

LMUN5330DW1T1G 通常用于数字逻辑电路中的电平转换和缓冲器设计，特别是在微控制器或数字IC与外围设备之间的接口电路中。例如，它可以用来将3.3V逻辑电平转换为5V逻辑电平，或者用于驱动LED、继电器、小型电机或其他负载。
　　该器件也常用于需要多路独立晶体管开关的应用，例如在电源管理、传感器接口、通信模块控制以及继电器驱动电路中。由于其集成电阻设计，特别适合用于简化电路设计和节省PCB空间的应用场景。
　　此外，LMUN5330DW1T1G 也被广泛用于汽车电子系统、工业自动化设备以及消费类电子产品中，作为通用的开关和信号处理元件。

FMMT617, MUN5211DW1T1G, LMUN5230DW1T1G