LMUN5241T1G 时间：2025/8/13 19:35:44 阅读：25

LMUN5241T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT）阵列，采用SOT-23封装。该器件内部集成了两个独立的NPN晶体管，适用于需要多个晶体管的电路设计。由于其紧凑的设计和可靠的性能，LMUN5241T1G广泛应用于开关电路、放大电路以及逻辑电平转换等场景。该器件的工作温度范围较宽，适合在工业级环境中使用。

参数

晶体管类型：NPN 双晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　集电极电流（Ic）：100 mA
　　功耗（Pd）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

LMUN5241T1G 的主要特性之一是其集成化设计，内置两个独立的NPN晶体管，可以有效减少PCB板上的元件数量，提高电路的集成度和可靠性。每个晶体管的集电极-发射极电压（Vce）最大可达30V，集电极电流最大为100mA，足以应对大多数低功率应用的需求。此外，该器件的功耗较低，仅为300mW，有助于降低系统的整体功耗。LMUN5241T1G 采用SOT-23封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在较为恶劣的工业环境下稳定工作。
　　该晶体管阵列还具备良好的热稳定性和电气特性，适合用于开关和放大应用。其较高的增益（hFE）和快速响应时间，使其在数字电路和模拟电路中均表现出色。此外，由于两个晶体管共享相同的封装，它们之间的热耦合较好，有助于在需要匹配的电路中保持一致性。LMUN5241T1G 的设计使其成为替代分立晶体管的优选方案，尤其是在需要多个晶体管协同工作的电路中。

应用

LMUN5241T1G 主要应用于需要多个NPN晶体管的电子电路中。常见的应用包括逻辑电平转换、驱动LED或小型继电器、信号放大、开关电路以及缓冲器设计。由于其集成化设计，该器件在数字电路中常用于构建基本的逻辑门或驱动多路输出。在模拟电路中，它可以用于构建差分放大器或其他需要两个晶体管配对的电路结构。此外，LMUN5241T1G 也适用于便携式设备、消费电子产品以及工业控制系统中的信号处理和功率控制模块。