LMUN5237T1G 时间：2025/8/13 23:26:43 阅读：22

LMUN5237T1G是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT）阵列器件，专为需要高增益和低噪声的应用设计。该器件集成了两个NPN晶体管，采用SOT-23-6封装，适用于需要紧凑布局和高性能的电路设计。LMUN5237T1G的高可靠性使其广泛应用于工业控制、消费电子和通信设备等领域。

参数

晶体管类型：NPN双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23-6

特性

LMUN5237T1G具有出色的电气特性和可靠性，非常适合高密度电路设计。
　　首先，该器件集成了两个NPN晶体管，能够减少PCB上的元件数量并简化电路设计，这对于需要小型化和轻量化的电子产品至关重要。
　　其次，LMUN5237T1G具备高电流增益（hFE），典型值可达350，能够在低电流条件下提供良好的放大性能，这使其非常适合用于低噪声前置放大器和开关电路。
　　此外，该器件的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）较低，确保了在高电流工作时的高效能表现，减少了能量损耗。
　　最后，LMUN5237T1G的封装设计具有良好的热稳定性和机械强度，能够在恶劣环境中保持稳定运行。

应用

LMUN5237T1G主要用于需要高性能晶体管阵列的电子系统中。
　　在消费电子领域，LMUN5237T1G常用于音频放大器、信号处理电路以及传感器接口电路，其高增益特性可以有效提升音频信号的清晰度。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的开关控制和信号放大模块，其稳定性和可靠性能够满足工业环境的苛刻要求。
　　此外，该晶体管阵列也广泛应用于通信设备中，如无线基站、调制解调器和数据传输设备，其低噪声特性有助于提高信号传输的质量。
　　在汽车电子系统中，LMUN5237T1G可用于车载音响、ECU（电子控制单元）中的信号处理模块，确保系统在复杂电磁环境中正常工作。