类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流 (Ic)：100 mA
　　最大集射极电压 (Vce)：50 V
　　最大基极电流 (Ib)：5 mA
　　最大功耗 (Pd)：200 mW
　　电流增益 (hFE)：110 - 800（取决于工作电流）
　　截止频率 (fT)：100 MHz
　　噪声系数 (NF)：4 dB（典型值）
　　封装类型：SOT-363

LMUN5237DW1T1G 具有一系列高性能特性，使其在高频和低噪声应用中表现出色。首先，该晶体管的最大截止频率 (fT) 达到 100 MHz，这意味着它非常适合用于高频放大器和开关电路。其次，其噪声系数 (NF) 为 4 dB（典型值），这表明它在放大弱信号时能够保持较低的噪声水平，适用于音频和射频前端电路。此外，LMUN5237DW1T1G 的电流增益 (hFE) 范围较宽，从 110 到 800，具体取决于工作电流，这种灵活性使其能够适应多种电路设计需求。
　　LMUN5237DW1T1T1G 的 SOT-363 封装尺寸较小，适合在高密度 PCB 设计中使用。该封装不仅有助于节省空间，还提供了良好的热管理和电气性能。同时，该晶体管的最大集电极电流为 100 mA，最大集射极电压为 50 V，最大功耗为 200 mW，能够在较宽的电压和电流范围内稳定工作。
　　另一个重要的特性是其良好的温度稳定性。LMUN5237DW1T1G 在不同温度条件下能够保持稳定的增益和噪声性能，适合在各种环境条件下运行。此外，该晶体管的低基极电阻有助于提高其高频响应，确保信号在高频段的完整性。

LMUN5237DW1T1G 主要用于需要低噪声和高频性能的电路中。最常见的应用之一是音频放大器电路，特别是在前置放大器阶段，用于放大微弱的音频信号。由于其低噪声特性，该晶体管也广泛用于射频（RF）放大器，尤其是在接收器前端电路中，以提高信号的灵敏度和质量。
　　此外，LMUN5237DW1T1G 也常用于通信设备中的发射和接收模块，作为信号放大和处理的关键组件。在无线通信系统中，该晶体管可以用于中频放大器、混频器和其他高频电路中。在工业控制和测量设备中，LMUN5237DW1T1G 也可用于传感器信号放大和处理电路，确保信号的高保真度和稳定性。
　　由于其小型封装和高性能特性，该晶体管也适用于便携式电子设备，如音频放大器、对讲机、无线麦克风等。在这些应用中，LMUN5237DW1T1G 能够提供高效的信号放大，同时保持较低的功耗。

BCW61, 2N3904