LMUN5235DW1T1G 时间：2025/8/15 18:45:12 阅读：21

LMUN5235DW1T1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极性晶体管（BJT）阵列，内部集成了两个NPN晶体管，并带有用于偏置的集成电阻。该器件特别适用于需要高增益、低功耗和稳定工作特性的应用。由于其内置偏置电阻，LMUN5235DW1T1G 可以简化电路设计，减少外部元件数量，适用于放大器、开关电路和逻辑电平转换等应用。

参数

晶体管类型：NPN x2
　　集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSOP
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：80 至 800（根据工作电流）

特性

LMUN5235DW1T1G 的主要特性之一是其内置偏置电阻网络，这使得晶体管在使用时无需额外的偏置电阻，从而减少了PCB布局的复杂性和元件数量。每个晶体管的基极和发射极之间都集成有电阻，便于构建稳定的开关或放大电路。
　　该器件的两个NPN晶体管具有匹配的电气特性，适用于需要对称设计的电路应用，例如差分放大器或双路开关电路。此外，其高电流增益（hFE）范围（80至800）使其能够适应不同的工作条件，从而实现高效的信号放大和开关控制。
　　LMUN5235DW1T1G 的最大集电极电流为100mA，集电极-发射极击穿电压为50V，能够在较宽的电压范围内稳定工作。同时，其较高的增益带宽积（100MHz）使其适用于中高频信号放大场合。
　　该器件采用TSOP封装，体积小巧，适用于高密度PCB设计。此外，其工作温度范围宽广（-55°C至+150°C），适用于工业级和汽车电子应用环境。

应用

LMUN5235DW1T1G 常用于各种电子电路中，尤其是在需要集成偏置电阻的场合。其典型应用包括信号放大电路、电平转换电路、LED驱动电路、继电器驱动器、逻辑门电路以及传感器接口电路等。
　　在放大器应用中，该器件的高增益特性使其适用于前置放大器、音频放大模块和射频信号放大器。由于其内置偏置电阻，可以简化偏置电路的设计，提高整体电路的稳定性。
　　在开关电路中，LMUN5235DW1T1G 可用于驱动小型继电器、LED阵列、小型电机或其他低功耗负载。其双晶体管结构允许构建双路开关或H桥电路，适用于小型机器人或直流电机控制。
　　此外，由于其封装小巧，该器件也适用于便携式电子产品、嵌入式系统以及汽车电子控制系统中，作为通用晶体管使用。