时间：2025/8/14 0:24:16
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LMUN5234T1G是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT）阵列，内含两个独立的NPN晶体管。这款器件采用了先进的硅外延平面工艺，具备良好的性能和可靠性，适用于多种通用和高频率应用。该晶体管阵列采用SOT-23封装，便于在印刷电路板（PCB）上安装，同时节省空间。LMUN5234T1G通常用于信号放大、开关电路以及数字逻辑电路中。
晶体管类型：双NPN晶体管阵列
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
集电极-基极电压（VCBO）：50V
发射极-基极电压（VEBO）：5V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-55°C至+150°C
电流增益（hFE）：在IC=2mA时为110（最小值）
过渡频率（fT）：100MHz
LMUN5234T1G具有多项优良特性，使其适用于各种通用和高频应用。首先，其双NPN晶体管结构允许在单个封装中实现多个独立功能，减少了PCB上的元器件数量并简化了设计。其次，晶体管的过渡频率（fT）高达100MHz，确保其在高频信号放大和开关应用中表现出色。
此外，该器件的集电极-发射极和集电极-基极耐压均为50V，提供了良好的电压承受能力，适合中等电压环境下的稳定运行。电流增益（hFE）在IC=2mA时最低为110，保证了稳定的放大性能。LMUN5234T1G的最大集电极电流为100mA，适用于中低功率的开关和放大任务。
该晶体管阵列的SOT-23封装形式不仅节省空间，还支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。同时，其最大功耗为300mW，能够在相对紧凑的布局中保持良好散热性能。工作温度范围从-55°C到+150°C，适应了工业级和汽车级应用的需求，确保在各种环境条件下稳定运行。
LMUN5234T1G广泛应用于多个电子领域。在信号放大电路中，它可用于音频和射频信号的放大，提供稳定的增益和低噪声性能。在数字逻辑电路中，该晶体管阵列可作为逻辑门或缓冲器，实现信号的快速切换和处理。
此外，它常用于驱动小型继电器、LED和光耦合器等负载，作为开关元件使用。由于其高频特性，LMUN5234T1G也适用于无线通信设备中的射频放大和混频电路。在消费类电子产品中，如电视、音响设备和家用电器中，该器件可作为信号处理和控制电路的关键组件。
在汽车电子系统中，LMUN5234T1G因其宽工作温度范围和高可靠性，被用于车身控制模块、传感器接口和车载通信系统。工业自动化设备和测试仪器也常采用该晶体管阵列，用于信号调节和控制功能。
BCX56-10, MMBT5551, 2N3904
