时间：2025/8/14 0:16:57
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LMUN5216T1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管（BJT）阵列，集成了两个NPN型晶体管，并且每个晶体管的基极和发射极之间内置了偏置电阻。这种设计简化了电路设计，特别适用于需要逻辑电平转换或开关应用的场景。该器件采用SOT-23-6小型封装，适合在空间受限的电路中使用。
类型：NPN双极性晶体管（带集成偏置电阻）
封装：SOT-23-6
最大集电极-发射极电压（Vce）：50V
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大功耗：200mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
偏置电阻值（R1）：47kΩ（基极）
偏置电阻值（R2）：47kΩ（发射极）
LMUN5216T1G具有内置偏置电阻的双NPN晶体管结构，极大地减少了外部元件数量并提高了电路设计的可靠性。
其SOT-23-6封装形式不仅节省空间，而且便于自动化装配，适合高密度PCB布局。
该器件支持高达50V的集电极-发射极电压，适用于多种中低功率开关应用。
由于每个晶体管的基极与发射极之间都集成了47kΩ的电阻，因此可以直接通过微控制器或其他逻辑电平信号控制，无需额外的限流电阻。
LMUN526T1G的热稳定性良好，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子系统。
该器件广泛应用于需要逻辑电平转换、开关控制和信号缓冲的电路中。例如，它可以用于驱动LED、继电器、小型电机等负载；在数字电路中作为缓冲器或反相器使用；在传感器接口电路中作为信号放大和转换器件；以及在便携式电子产品中作为高效开关元件，从而降低功耗并减少电路复杂度。
BCX56-10, MMBT3904LT1G, 2N3904
