时间：2025/8/14 2:27:30
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LMUN5212DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的双极性晶体管阵列（Darlington 对阵列），具有内置偏置电阻，适用于通用逻辑接口和开关应用。该器件集成了两个 NPN Darlington 晶体管，每个晶体管都带有用于基极的串联电阻和用于接地的并联电阻。这种设计简化了外部电路设计，使其非常适合用于驱动继电器、LED、小型电机和其他中低功率负载。
类型：NPN Darlington 阵列
集电极-发射极电压（Vce）：30V
最大集电极电流（Ic）：100mA（每个晶体管）
功耗（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23（SC-59）
引脚数：6
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
LMUN5212DW1T1G 的主要特性是其内部集成的偏置电阻网络，每个 Darlington 晶体管的基极都配置有串联电阻（通常为 4.7kΩ 和 47kΩ 的分压电阻），允许直接从数字逻辑信号（如 TTL 或 CMOS）进行驱动，而无需额外的限流电阻。这种集成设计减少了 PCB 上的元件数量，提高了电路的可靠性。此外，该器件采用小型 SOT-23 封装，适合在空间受限的应用中使用。
每个晶体管的集电极电流最大为 100mA，足以驱动小型负载，如 LED 显示屏或低功耗继电器。该器件的耐温范围宽，适用于工业级环境。此外，由于 Darlington 配置的存在，其电流增益非常高（通常超过 1000），使得该器件能够用微弱的输入信号控制较大的负载电流。
LMUN5212DW1T1G 主要用于需要逻辑电平驱动的开关应用。典型应用包括 LED 显示驱动、继电器控制、小型直流电机驱动、逻辑缓冲器、信号隔离器以及各种需要高增益、低输入电流的电路。由于其内置偏置电阻，该器件非常适合用于简化微控制器或数字逻辑电路与外部负载之间的接口设计。此外，它也常用于消费类电子产品、家电控制电路、汽车电子系统以及工业自动化设备中。
ULN2003A, LMUN5213DW1T1G, MUN5211DW1T1G
