时间：2025/8/14 2:19:47
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LMUN5211DW1T1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT）阵列，包含两个独立的NPN晶体管。该器件采用SOT-236（SC-59）封装，适用于需要小型化和高性能的便携式电子设备和通用开关与放大应用。每个晶体管都具有独立的基极、集电极和发射极引脚，适合用于独立的电路设计。
晶体管类型：NPN
配置：双晶体管（2个独立单元）
集电极-发射极电压（Vce）：30V
集电极电流（Ic）：100mA
功耗（Pd）：300mW
增益带宽积（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：110至800（根据工作点不同）
封装类型：SOT-236（SC-59）
工作温度范围：-55°C至+150°C
LMUN5211DW1T1G具有多种优异的电气和物理特性，使其在各种电子设计中表现出色。
首先，该器件采用SOT-236封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，特别适用于空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑和穿戴设备。
其次，该晶体管的最高集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为100mA，适用于中低功率的开关和放大应用。其较高的电流增益（hFE）范围（110至800）使得它在信号放大和开关控制中具有较高的灵活性和稳定性。
此外，该晶体管的增益带宽积为100MHz，适合用于中高频信号放大电路，如射频（RF）前端电路、音频放大器和逻辑电平转换电路。
LMUN5211DW1T1G的功耗为300mW，能够在较低功耗下运行，有助于延长电池供电设备的使用时间，提高能效。
该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性强，适用于工业级和汽车电子应用环境。
LMUN5211DW1T1G广泛应用于多个领域，包括便携式电子产品、通信设备、工业控制系统和汽车电子系统。
在便携式设备中，如智能手机和智能手表，LMUN5211DW1T1G可用于音频放大器、LED驱动电路和逻辑电平转换电路，提供稳定可靠的信号处理能力。
在通信设备中，该晶体管可用于射频信号放大、天线开关控制和数据传输电路，确保信号的高效传输和处理。
在工业控制系统中，LMUN5211DW1T1G可用于传感器信号放大、继电器驱动和逻辑控制电路，提升系统响应速度和稳定性。
在汽车电子系统中，该晶体管可应用于车载娱乐系统、仪表盘显示控制和车载通信模块，满足汽车环境下的高可靠性要求。
此外，该器件也适用于电源管理电路、DC-DC转换器和低噪声放大器等通用电子设计。
BC847BDSX-7-F, MMBT3904LT1G, 2N3904, 2N2222A
