时间：2025/8/13 14:39:34
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LMUN5137DW1T1G是一款双极型晶体管（BJT）与偏置电阻集成的数字晶体管（Digital Transistor），由安森美半导体（ON Semiconductor）生产。该器件集成了一个NPN型晶体管以及两个内置偏置电阻，分别连接在基极和发射极之间，以及基极和地之间。这种设计可以简化电路设计，减少外部元件数量，从而节省电路板空间并提高可靠性。LMUN5137DW1T1G常用于数字逻辑电路、开关电路和放大电路中。
类型：NPN数字晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
偏置电阻：2.2kΩ（基极-发射极）
偏置电阻：10kΩ（基极-地）
LMUN5137DW1T1G的主要特性是集成了偏置电阻，使得晶体管在数字电路中的使用更加简便。其内置的2.2kΩ和10kΩ电阻构成了一个分压式偏置电路，使得晶体管能够在特定的基极电压下稳定工作，而无需外部偏置电路。这种集成设计不仅减少了PCB板上的元件数量，还降低了电路设计的复杂性。此外，该晶体管具有较高的开关速度和良好的温度稳定性，适用于高速开关应用和逻辑电平转换。
该器件采用SOT-323（SC-70）封装，体积小巧，适合高密度电路设计。其工作温度范围广泛，可在-55°C至+150°C之间正常工作，适用于工业级和汽车电子应用。LMUN5137DW1T1G还具有良好的抗静电能力和可靠性，能够在较为恶劣的环境中稳定运行。
LMUN5137DW1T1G广泛应用于数字电路中的开关控制、逻辑电平转换、信号放大和驱动电路等场景。例如，在微控制器系统中，它可以用于驱动LED、继电器、小型电机等负载。由于其集成偏置电阻的设计，特别适合用于需要减少外部元件数量的便携式设备和嵌入式系统中。此外，该器件还可用于音频放大器、电压调节器和传感器接口电路中。
LMUN5137DW1T1G的替代型号包括LMUN5137DW1T1G的封装或功能相似的产品，例如LMUN5138DW1T1G（PnP型）或类似功能的数字晶体管如DTC114EKA。
