晶体管类型：双极型晶体管（BJT）
　　晶体管配置：双NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C
　　封装类型：SOT-236（SC-70）

LMUN5136DW1T1G具有多项显著特性，使其在各种电子应用中表现出色。
　　首先，该器件集成了两个独立的NPN晶体管，每个晶体管的基极和发射极之间都内置了电阻器。这种集成设计减少了外部偏置电阻的需求，简化了电路布局，并降低了整体设计复杂性。在实际应用中，这不仅节省了PCB空间，还提高了系统的可靠性和稳定性。
　　其次，LMUN5136DW1T1G的额定电压为50V（VCEO和VCBO），最大集电极电流为100mA，使其适用于中等功率的放大和开关应用。该器件的高耐压特性确保其在较高电压环境下仍能稳定工作，避免因电压波动而导致的损坏。
　　此外，该晶体管阵列采用SOT-236（SC-70）封装，这是一种小型化表面贴装封装，非常适合用于高密度电路设计。该封装不仅具有良好的热性能，还能有效降低寄生电感，提高高频响应能力，使其在射频和高速开关应用中表现出色。
　　LMUN5136DW1T1G的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在恶劣的环境条件下稳定运行。这一特性使其适用于工业控制、汽车电子、消费电子等多个领域。
　　最后，该器件的制造工艺符合AEC-Q101汽车电子标准，确保其在汽车应用中的可靠性和稳定性。这种高可靠性使其成为车载电子系统、传感器接口和电源管理模块的理想选择。

LMUN5136DW1T1G广泛应用于多种电子系统中。在放大器电路中，该器件可用于前置放大、信号缓冲以及电压增益调节。由于其内置偏置电阻，能够简化放大器的偏置设置，减少外部元件数量，提高整体电路的稳定性。
　　在开关电路中，LMUN5136DW1T1G可用于控制负载的导通与关断，例如LED驱动、继电器控制、电机控制等。其100mA的集电极电流能力使其适用于低功率开关应用，同时50V的耐压能力确保其在多种电压环境下都能稳定工作。
　　在数字逻辑电路中，该器件可用于构建逻辑门、缓冲器和电平转换电路。其双晶体管结构允许设计者在同一芯片上实现多个功能，从而减少电路复杂性和PCB面积。
　　此外，该器件还适用于汽车电子系统，如车身控制模块、传感器接口、车载娱乐系统等。其符合AEC-Q101标准，确保其在高温、振动等恶劣环境下的可靠性。
　　在消费类电子产品中，LMUN5136DW1T1G可用于电源管理、电池充电控制、音频放大等应用。其小型化封装和低功耗特性使其非常适合便携式设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。

BCX56-10, MMBT3904, 2N3904, PN2222A