类型：PNP双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：25V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功率耗散（PD）：200mW
　　频率（fT）：8GHz
　　电流增益（hFE）：典型值50~300（取决于工作电流）
　　噪声系数：0.5dB（典型值）
　　封装类型：SOT-23-5

LMUN5116T1G具备优异的高频性能，其特征频率（fT）高达8GHz，使其非常适用于射频和微波频段的应用。该晶体管在低电压和低电流条件下仍能保持良好的增益和稳定性，适用于电池供电设备中的低功耗设计。此外，其低噪声系数（0.5dB）使其在射频前端电路中表现出色，能够有效提升接收机的灵敏度。LMUN5116T1G还具有良好的线性度和温度稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作。由于其采用SOT-23-5封装，该器件体积小巧，适合高密度PCB布局，并具有良好的热性能和机械强度。
　　该晶体管的设计考虑了高频应用中的寄生效应，通过优化内部结构降低寄生电容，从而提高器件在高频下的稳定性和增益。此外，LMUN5116T1G的制造工艺确保了良好的器件一致性，适用于大批量生产中的性能匹配。其低功耗特性也使其适用于5G通信前端模块、无线传感器网络、蓝牙设备和Wi-Fi射频电路等新兴应用领域。

LMUN5116T1G主要应用于高频电子系统中，如射频放大器、混频器、振荡器、调制解调器和接收机前端电路。它在无线通信设备中广泛用于低噪声放大（LNA）、信号增强和频率转换等关键功能模块。此外，该器件也适用于蜂窝通信（如4G/5G基站和用户终端）、卫星通信、雷达系统以及测试测量仪器中的高频信号处理部分。由于其良好的噪声性能和增益表现，LMUN5116T1G也常用于音频放大器的高频补偿电路以及模拟信号处理系统中的增益控制模块。

BFQ69, BFG21, BFR181W, BFU520, MMBT3906