时间：2025/8/13 19:59:40
阅读：21
LMUN5116DW1T1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT）阵列，集成了两个NPN晶体管。该器件采用SOT-236（SC-70）封装，适用于需要小型化和高性能的便携式电子产品。LMUN5116DW1T1G内部的晶体管具有预偏置电阻器，可以简化电路设计，减少外部元件数量，广泛应用于逻辑电路、开关电路和放大电路。
类型：NPN双极晶体管阵列
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
最大集电极电流（IC）：100mA
功率耗散（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
增益带宽积（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：在2mA时为110（最小值）
基极-发射极电压（VBE）：约0.7V
集电极-基极电压（VCB）：50V
LMUN5116DW1T1G具有多个显著特性，使其在电子设计中具有广泛应用。首先，该器件集成了两个NPN晶体管，并在每个晶体管的基极和发射极之间内置了偏置电阻器。这种设计减少了外部偏置电阻的需求，从而降低了PCB的复杂性和空间占用。其次，SOT-236封装提供了优异的热性能和机械稳定性，适合高密度组装应用。此外，该晶体管的电流增益（hFE）在2mA工作点下可达110以上，具有良好的放大性能。
LMUN5116DW1T1G的频率响应高达100MHz，适用于中高频放大电路。其最大集电极电流为100mA，能够在较低功耗下实现较高的开关速度和稳定性。该器件的额定工作温度范围为-55°C至+150°C，适应工业级和汽车级应用环境。同时，其300mW的功率耗散能力使其在多种便携式设备中表现出色。
LMUN5116DW1T1G广泛应用于各种电子电路中，尤其是在需要双晶体管配置的场合。例如，在逻辑电平转换电路中，它可以作为电平移位器或缓冲器使用。在模拟放大电路中，该器件可以构建差分放大器或推挽式放大器，以提高信号质量和驱动能力。此外，它常用于开关电路中，如LED驱动器、继电器控制和DC-DC转换器的驱动部分。
在便携式设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，LMUN5116DW1T1G凭借其小尺寸和低功耗特性，成为理想的信号处理和控制元件。在工业控制和自动化系统中，该晶体管可用于传感器接口电路和执行器驱动电路。此外，它也适用于音频放大电路、RF前端模块以及电源管理系统。
MMUN2115LT1G, LMUN5215DW1T1G, FMMT617, BC847BYS
