晶体管类型：NPN双晶体管
　　集电极电流（Ic）：最大100 mA
　　集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　发射极-基极电压（Veb）：5 V
　　功耗（Pd）：200 mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-26（SC-74A）

LMUN5112DW1T1G具有多项优异的电气和物理特性，使其在各种电子应用中表现出色。首先，其内部集成两个NPN晶体管，有助于减少PCB板的空间占用并简化电路设计。其次，晶体管具有较高的电压承受能力，Vce和Vcb最大可达30V，适用于中低功率的放大和开关应用。
　　该器件的封装采用SOT-26形式，属于小型表面贴装封装，便于自动化生产和集成。同时，其功耗为200mW，能够在低功耗条件下保持良好的工作性能，适合用于便携式设备和电池供电系统。
　　LMUN5112DW1T1G的工作温度范围宽，支持-55°C至150°C，确保在极端环境下的稳定性，适用于工业级应用。此外，该晶体管具有较高的增益（hFE）特性，有助于提高信号放大能力，同时具备良好的频率响应，适合用于中高频信号处理电路。
　　由于其内部晶体管的参数一致性较高，LMUN5112DW1T1G在差分放大电路、数字逻辑电路和驱动电路中表现优异。此外，该器件的可靠性高，抗干扰能力强，适用于需要长期稳定运行的系统。

LMUN5112DW1T1G广泛应用于多个电子领域。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，该器件常用于逻辑电平转换、信号驱动和电源管理电路。在工业控制设备中，它被用于传感器信号放大、继电器驱动以及数据采集系统。
　　该器件也适用于数字电路设计，例如用于构建双稳态触发器、缓冲器和逻辑门电路。由于其两个晶体管集成在同一封装中，并且参数一致性较好，因此非常适合用于差分放大器和推挽式输出结构。
　　此外，LMUN5112DW1T1G还常见于通信设备中，如无线基站、路由器和调制解调器，用于信号处理和放大。在汽车电子系统中，该器件可应用于车身控制模块、车载信息娱乐系统以及车载传感器接口电路。
　　由于其高可靠性和宽工作温度范围，该器件也被用于航空航天和军事电子系统中，例如导航系统、雷达信号处理模块和通信设备。

BCX56-10, MMBT2222A, 2N3904