LMUN5111T1G 时间：2025/8/14 2:18:48 阅读：18

LMUN5111T1G是一款由ON Semiconductor生产的NPN型双极性晶体管（BJT），专为高增益和低噪声应用设计。该晶体管采用SOT-23封装，适合用于射频（RF）和音频放大器、开关电路以及通用模拟电路中。LMUN5111T1G在高频性能和低噪声系数方面表现出色，使其成为通信设备、传感器接口和便携式电子设备中的理想选择。

参数

晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　频率（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110至800（取决于工作电流）
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

LMUN5111T1G具备出色的高频性能，能够在高达250MHz的频率下稳定工作，适用于射频放大和高速开关应用。其低噪声系数使其在音频和射频前端放大器中表现出色，能够有效减少信号失真和噪声干扰。此外，该晶体管具有宽广的电流增益范围（hFE），在110至800之间，可根据不同的工作电流条件提供高放大倍数，从而满足多种电路设计需求。
　　LMUN5111T1G的SOT-23封装体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的热稳定性和机械强度。该晶体管的额定工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种严苛环境下的应用，如工业控制、汽车电子和户外通信设备。此外，其最大集电极-发射极电压为30V，集电极电流可达100mA，支持中等功率级别的信号处理和放大任务。
　　该晶体管还具备良好的线性度和稳定性，适用于需要高精度信号放大的模拟电路，如传感器信号调理、音频前置放大器等。其低功耗特性也使其适合电池供电设备和便携式电子产品。

应用

LMUN5111T1G广泛应用于射频和音频放大器电路中，尤其适合前置放大器和低噪声放大器（LNA）设计。在无线通信系统中，它可用于接收器前端放大器，以提高信号灵敏度和降低噪声干扰。此外，该晶体管也适用于各种开关电路，如逻辑电平转换、LED驱动和继电器控制等。
　　在音频设备中，LMUN5111T1G可用于麦克风前置放大器、音频信号缓冲器和低失真放大电路。在工业自动化和控制系统中，它可以作为传感器信号调理电路的一部分，提供高精度和稳定性的信号处理能力。此外，由于其良好的高频响应，该晶体管也可用于振荡器、混频器和调制解调电路中。
　　由于其紧凑的SOT-23封装和低功耗特性，LMUN5111T1G也常用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的模拟信号处理和开关控制电路。