时间：2025/5/23 10:09:49
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LMUN2211LT1G 是一款由 Texas Instruments（德州仪器）生产的 N 沗道逻辑电平 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 SOT-23 封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适合于各种高效能开关应用。
这款 MOSFET 专为低电压应用设计，能够提供高效率和出色的热性能。其小尺寸封装使其非常适合空间受限的设计场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，@Vgs=4.5V）
栅极电荷：6nC（典型值）
总功耗：400mW
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
LMUN2211LT1G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，适用于高频操作环境。
3. 小型 SOT-23 封装节省了电路板空间，适合便携式设备和紧凑型设计。
4. 逻辑电平驱动兼容性，便于与低压控制信号配合使用。
5. 高可靠性及稳健的热性能，确保在极端温度条件下的稳定运行。
该器件广泛应用于多种电子电路中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动和保护电路。
5. 各类消费类电子产品中的信号切换和功率管理模块。
LMN2211LT1G, BSS138, SI2302DS
