LMUN2132 时间：2025/8/13 8:20:34 阅读：6

LMUN2132是一款双极性晶体管（BJT）阵列器件，由一对NPN晶体管组成，通常用于高增益和低噪声放大应用。该器件由安森美半导体（ON Semiconductor）生产，具有较高的电流增益和较低的噪声系数，适用于需要信号放大的各种电子电路。LMUN2132的封装形式为SOT-23，适合表面贴装工艺，广泛用于消费类电子产品、通信设备和工业控制系统。

参数

类型：双极性晶体管阵列（NPN）
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：200mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　噪声系数：4dB
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

LMUN2132的主要特性包括高电流增益、低噪声系数和良好的高频响应。该器件的电流增益通常在110至800之间，具体数值取决于工作电流和温度条件，使其非常适合用于前置放大器和信号增强电路。其低噪声特性使其在音频放大和射频（RF）信号处理中表现出色。此外，LMUN2132的高频响应使其能够支持高达100MHz的工作频率，适用于中高频放大应用。该器件采用SOT-23封装，具有较小的尺寸和良好的热性能，便于在紧凑的PCB布局中使用。由于其双晶体管结构，LMUN2132还可以用于构建差分放大器和推挽式放大电路，提高系统的整体性能。

应用

LMUN2132广泛应用于需要高增益和低噪声放大的电路中。例如，在音频放大器中，LMUN2132可以作为前置放大器，提高信号的幅度以便后续处理。在射频电路中，它可用于中频放大器或混频器前端，增强信号的强度。此外，该器件还常用于通信设备中的信号链路，如无线接收器和发射器中的放大电路。在工业控制和消费类电子产品中，LMUN2132也常用于传感器信号放大和处理。由于其双晶体管结构，LMUN2132还可以用于构建差分放大器，提供更高的稳定性和抗干扰能力。