晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110 @ Ic=2 mA, Vce=5V
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

LMUN2130LT1G具备多项优异特性，使其在各类电子电路中表现出色。首先，该晶体管的电流增益（hFE）高达110，在低电流条件下（如Ic=2 mA）仍能保持良好的放大性能，适用于信号放大和开关应用。其次，其过渡频率（fT）达到100 MHz，表明该器件具备良好的高频响应能力，适合用于射频和高速开关电路。此外，LMUN2130LT1G的SOT-23封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，而且具有良好的散热性能，确保在较高功耗下依然稳定运行。该晶体管的最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压为30 V，适用于多种低压和中等功率应用场景。LMUN2130LT1G的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，能够在极端环境条件下稳定工作，特别适合汽车电子和工业控制系统。此外，该器件的功耗较低，最大功耗为300 mW，有助于提高系统能效，减少热量积累。ON Semiconductor在制造过程中采用先进的硅外延工艺，确保该晶体管具备优异的电气特性和可靠性。

LMUN2130LT1G由于其高性能和可靠性，广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中，该晶体管可用于音频放大、开关电源、LED驱动和逻辑电路设计。在工业控制领域，LMUN2130LT1G常用于传感器信号放大、继电器驱动和电机控制电路。在通信设备中，由于其高频响应能力，LMUN2130LT1G可用于射频信号放大和调制解调电路。此外，该晶体管在汽车电子系统中也有广泛应用，例如用于发动机控制模块（ECM）、车身控制模块（BCM）、车载娱乐系统和车载充电器。LMUN2130LT1G的高可靠性和宽工作温度范围，使其能够在恶劣的汽车环境中稳定运行。在物联网（IoT）设备和嵌入式系统中，该晶体管也常用于数据采集、信号处理和无线通信模块的电源管理。

MMUN2130LT1G, BC847B, 2N3904