类型：NPN双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：最大300V
　　集电极电流（Ic）：最大100mA
　　功耗（Pd）：最大300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　增益（hFE）：110至800（具体取决于测试条件）
　　频率响应：最大250MHz（fT，电流增益带宽积）
　　封装类型：SOT-23

LMUN2113T1G是一款高性能的双晶体管器件，其主要特性之一是它的高集成度。它将两个NPN晶体管封装在一个芯片中，可以同时用于多个电路功能，如并行信号处理、差分放大器或冗余开关电路。这种双晶体管设计不仅节省了PCB空间，还减少了外部元件数量，从而提高了系统可靠性和降低了生产成本。
　　此外，该器件具有良好的电气性能。其集电极-发射极击穿电压高达300V，能够承受较高的电压应力，适用于高压环境下的开关应用。集电极电流最大可达100mA，满足多数低功耗电子设备的需求。LMUN2113T1G的电流增益（hFE）范围为110至800，这意味着它可以在不同的工作条件下提供稳定的放大性能。对于需要高频操作的应用，其过渡频率（fT）可达250MHz，因此可以用于射频（RF）或中频（IF）放大器等场景。
　　该晶体管还具备良好的热稳定性和耐久性，其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于严苛的工业和汽车环境。SOT-23封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，确保器件在高负载下仍能保持稳定运行。
　　另一个关键特性是其节能能力。LMUN2113T1G在低电流条件下仍能保持较高的增益，使其适用于电池供电设备和低功耗电路。这种节能特性对于延长便携式设备的电池寿命非常重要。

LMUN2113T1G因其高集成度、高可靠性和多用途性而被广泛应用于各种电子设备中。它常用于数字电路中的逻辑门、缓冲器和开关电路，以提高电路的效率和稳定性。例如，在微控制器或FPGA的外围电路中，LMUN2113T1G可用于驱动LED、继电器或小型电机。
　　在模拟电路中，该晶体管可用于放大器、振荡器和混频器设计，尤其是在需要高频率响应的场合。例如，在射频前端电路中，它可以用作信号放大器或调制解调器的一部分。
　　由于其耐高温特性和高电压承受能力，LMUN2113T1G也广泛应用于汽车电子系统中，如车身控制模块、照明控制系统和传感器接口电路。此外，它还被用于工业自动化设备、测试仪器和消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
　　在电源管理方面，该器件可以用于DC-DC转换器、稳压器和负载开关电路中，以实现高效的能量传输和分配。

BCX56-10, 2N3904, MMBT2222