晶体管类型：NPN x2
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Pd）：200mW
　　电流增益（hFE）：100 @ Ic=2mA, Vce=5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

LMUN2113LT1H 拥有紧凑的封装设计，适合空间受限的电路应用。其集成双晶体管结构不仅节省了PCB空间，还减少了外围元件数量，提高了系统整体的可靠性。
　　该器件的电流增益（hFE）在典型工作条件下可以达到100以上，确保了良好的放大性能和开关特性。其最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为100mA，适用于中等功率的开关和放大任务。
　　LMUN2113LT1H 的 SOT-23 封装形式支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产并降低制造成本。此外，其低功耗设计和宽工作温度范围使其适用于工业控制、消费电子和通信设备等多种应用场景。
　　该晶体管阵列还具有良好的热稳定性和电气隔离性能，能够适应复杂的工作环境。ON Semiconductor 为该器件提供了完整的数据手册和应用指南，方便工程师进行电路设计和调试。

LMUN2113LT1H 主要用于数字电路中的逻辑开关、缓冲器和驱动电路。在微控制器系统中，它常用于扩展 I/O 端口的驱动能力，或者作为继电器、LED 和小型电机的控制开关。
　　在通信设备中，LMUN2113LT1H 可用作信号放大器或电平转换器，实现不同电压域之间的信号传输。此外，在电源管理系统中，它可以作为负载开关或电流镜像电路的一部分，提供高效的功率控制方案。
　　由于其高可靠性和紧凑的封装，该器件也广泛应用于汽车电子系统、便携式设备和传感器接口电路中。例如，在汽车电子中，它可以用于控制车灯、风扇或其他执行器的开关操作。

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　　 "MUN2113",
　　 "MUN5113",
　　 "DTC114EKA",
　　 "2N3904",
　　 "BC847"
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