时间：2025/4/27 16:17:01
阅读：4
LMUN2113LT1G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，由 Texas Instruments 推出。该器件采用了增强型 GaN FET 技术，具有极低的导通电阻和快速开关性能，专为高频、高效能的电源转换应用而设计。其封装形式为 LLP8 封装，有助于提升散热性能并简化 PCB 布局。
该晶体管广泛适用于 DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路以及其他需要高性能开关的应用场景。
类型：增强型 GaN 功率晶体管
封装：LLP8
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：130mΩ
栅极电荷（Qg）：45nC
反向恢复时间（trr）：<70ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
LMUN2113LT1G 提供了卓越的性能表现，主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，仅为 130mΩ，从而降低了传导损耗。
2. 快速开关能力，得益于低栅极电荷（Qg），使其在高频工作时具备更高效率。
3. 高耐压能力，Vds 高达 600V，适合多种高压应用场景。
4. 支持宽输入电压范围的设计需求，特别适合工业和汽车级应用。
5. 出色的热性能，能够有效减少系统热量积累，提高整体可靠性。
6. 简化的驱动要求，与传统硅基 MOSFET 相比更容易集成到现有设计中。
LMUN2113LT1G 的典型应用领域包括：
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关管。
2. 图腾柱 PFC（功率因数校正）电路中的高速开关元件。
3. 电动汽车（EV）充电设备中的高效功率转换模块。
4. 工业电机驱动控制中的逆变器或斩波器组件。
5. 可再生能源发电系统中的光伏逆变器及储能转换单元。
6. 高效 DC-DC 转换器设计，特别是针对笔记本电脑适配器或服务器电源等产品。
LMG3522R030,
LMG3411R030,
CSD1953KCS
