时间：2025/8/13 2:08:00
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LMTZJ8.2B 是一种齐纳二极管（Zener Diode），通常用于电压参考或电压调节应用。齐纳二极管是一种特殊的二极管，它在反向击穿区域工作，能够提供一个稳定的电压值。LMTZJ8.2B 的齐纳电压为8.2V，在电子电路中广泛用于电压稳定或基准电压的生成。
类型：齐纳二极管
齐纳电压：8.2V
最大齐纳电流：20mA
最大耗散功率：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOD-123
LMTZJ8.2B 齐纳二极管具有高稳定性和较低的温度系数，使其在电压参考和调节电路中表现优异。其齐纳电压在反向偏置时保持相对稳定，即使输入电压或负载发生变化，也能够维持输出电压的恒定。此外，该器件的封装形式（SOD-123）具有较小的尺寸，适合高密度PCB设计。LMTZJ8.2B 还具备良好的热稳定性和较高的可靠性，适用于各种工业和消费类电子设备。
该器件的额定功率为300mW，可以在相对宽的温度范围内（-55°C 至 +150°C）稳定工作，适合在恶劣环境条件下应用。LMTZJ8.2B 的低动态阻抗进一步提升了其电压调节性能，使其在低噪声和高精度应用中表现出色。
LMTZJ8.2B 主要用于电源管理电路、电压参考源、过压保护电路、稳压器以及各类电子测量设备。它也常用于模拟和数字电路中的偏置电压生成，确保电路工作在设计范围内。此外，该器件还可以作为电压钳位元件，用于保护敏感电子元件免受过高电压的损害。
在实际应用中，LMTZJ8.2B 经常与限流电阻配合使用，以确保其工作在安全的电流范围内，从而实现稳定的电压输出。
BZV55-B8V2, MMSZ5237B
