LMSZ5262BT1G 是一款基于硅工艺制造的高频射频放大器芯片,适用于无线通信、微波信号处理等领域。该芯片采用先进的BiCMOS技术,具备高增益、低噪声和宽频带特性,能够满足现代通信系统对高性能射频前端的需求。
该器件内置匹配网络和偏置电路,简化了外部设计需求,并且支持多种供电模式,便于灵活应用。LMSZ5262BT1G 的封装形式为小型化QFN封装,有助于节省PCB空间并提高散热性能。
工作频率范围:2.5GHz-6GHz
增益:20dB
输出功率(1dB压缩点):+18dBm
噪声系数:2.5dB
电源电压:3.3V
静态电流:120mA
封装形式:QFN-16
工作温度范围:-40℃至+85℃
LMSZ5262BT1G 提供了卓越的射频性能,其主要特性包括:
1. 高线性度与大动态范围,适用于复杂的调制信号环境。
2. 内置稳压电路和ESD保护功能,提高了系统的稳定性和可靠性。
3. 小型化设计,适合紧凑型设备的应用场景。
4. 支持表面贴装技术(SMT),提升了生产效率。
5. 宽泛的工作频率覆盖,能够满足多种无线通信标准的需求,例如Wi-Fi、5G等。
6. 良好的热管理设计确保在高温条件下仍能保持稳定的性能表现。
LMSZ5262BT1G 广泛应用于以下领域:
1. 点对点微波通信系统中的中继放大器。
2. 5G基站和小蜂窝网络的射频前端模块。
3. Wi-Fi路由器及接入点设备的信号增强。
4. 工业物联网(IIoT)中的远程传感器节点。
5. 卫星通信地面站的低噪声放大环节。
6. 医疗成像设备中的超声波发射/接收单元。
LMS7002M, HMC991LP4E, MGA-634P8