时间：2025/8/13 21:24:06
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LMSZ5237BT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的精密低压差电压基准二极管。该器件采用 SOT-23 封装，具有高精度、低温度漂移和快速稳定时间等特点，适用于需要高稳定性和高精度的模拟和数字电路中。该器件的标称输出电压为 8.2V，适合用于电源管理、ADC/DAC 参考电压、校准设备以及工业控制系统。
输出电压：8.2V
输出电流：最大 10mA
初始精度：±0.5%（典型值）
温度漂移：10ppm/℃（典型值）
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
封装形式：SOT-23
稳定时间：10μs（典型值）
动态阻抗：1.5Ω（典型值）
最大功耗：300mW
LMSZ5237BT1G 采用专有的带隙电压基准技术，确保了在整个工作温度范围内具有优异的稳定性和精度。该器件的低温度漂移特性使其在高精度测量系统中表现出色，能够提供长期稳定的参考电压。
其快速稳定时间特性，使得在开关电源或快速响应系统中使用时，可以迅速达到稳定状态，减少启动时间。此外，该器件的动态阻抗较低，有助于减少负载变化对输出电压的影响，提高系统的整体稳定性。
在保护特性方面，LMSZ5237BT1G 集成了过热保护和短路保护功能，能够在异常工作条件下防止器件损坏，提高系统的可靠性。同时，该器件在设计上具有良好的负载和线性调整率，适用于对电源波动敏感的高精度系统。
该器件的 SOT-23 小型封装形式，有助于节省 PCB 空间，适合用于高密度电路设计。由于其出色的电气性能和可靠性，LMSZ5237BT1G 被广泛应用于工业控制、通信设备、测试仪器、医疗设备以及便携式电子产品中。
LMSZ5237BT1G 主要应用于需要高精度电压基准的场合，如数据采集系统中的 ADC/DAC 基准源、精密测量仪器、工业控制系统中的模拟信号处理、电源监控电路、电池管理系统、高精度放大器偏置电路、校准设备等。此外，该器件也适用于需要稳定参考电压的传感器接口电路和嵌入式控制系统。
LM4040CIM3-8.2/NOPB, LMV431AIM5-8.2/NOPB, REF3182AIDBZR
