LMSZ5236ET1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和电压调节应用。该器件采用SOD-123封装,适用于需要高稳定性和紧凑设计的电子系统。LMSZ5236ET1G 的标称齐纳电压为6.2V,在测试电流为20mA时具有良好的电压稳定性,适合用于电源管理、模拟电路参考电压、电压监测等场景。
类型:齐纳二极管
封装:SOD-123
标称齐纳电压:6.2V
测试电流:20mA
最大齐纳电流:70mA
最大耗散功率:300mW
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
存储温度范围:-55°C ~ 150°C
LMSZ5236ET1G 的主要特性包括其高稳定性和快速响应能力,这使其在多种电子系统中成为理想的电压参考源。该齐纳二极管的动态电阻较低,能够在负载变化时保持输出电压的稳定。此外,其低温度系数设计确保了在不同温度条件下仍能提供精确的参考电压。SOD-123封装不仅节省空间,还支持表面贴装工艺,便于自动化生产和高密度PCB布局。LMSZ5236ET1G 的额定功率为300mW,允许在相对较高的功耗条件下运行,但需注意散热设计以确保器件的长期可靠性。
这款器件还具有良好的瞬态响应性能,适用于需要快速响应电压变化的应用。其反向击穿电压具有良好的重复性和一致性,因此非常适合用于精密测量设备、模拟电路偏置和电压调节模块。LMSZ5236ET1G 还具备较强的环境适应性,可在恶劣的工业环境中稳定工作。
LMSZ5236ET1G 主要用于各种需要电压参考和调节的电路中。例如,在电源管理电路中,它可用作基准电压源,为电压调节器或比较器提供稳定的参考电压;在模拟电路中,它可作为偏置电压源,确保放大器或其他模拟器件在正确的偏置条件下工作;在电池供电设备中,LMSZ5236ET1G 可用于监测电池电压,防止设备在电压过低时工作;此外,它也常用于工业控制系统、测试设备、传感器接口电路以及消费类电子产品中的电压调节和参考应用。
BZX84C6V2, TL431, LM385-6.2