LMSZ4688T1G是一款由ONSEMI(安森美半导体)制造的表面贴装稳压二极管,主要用于提供精确的电压参考或进行电压限制保护。该器件属于齐纳二极管类别,具有低动态阻抗和良好的温度稳定性,适合在需要稳定电压的电路中使用。该封装为SOD-123,适合用于空间受限的高密度PCB设计。
类型:齐纳二极管
封装:SOD-123
最大耗散功率:300 mW
齐纳电压(Vz):13.6 V(在测试电流Iz=5mA时)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
最大反向漏电流(IR):100 nA(在VR=10V时)
齐纳阻抗(Zz):900 Ω(在Iz=5mA时)
温度系数:+9.2 mV/°C(典型值)
LMSZ4688T1G具有多项优异的电气和物理特性,确保其在各种应用中的稳定性和可靠性。首先,该器件采用了SOD-123封装,体积小巧,适合在高密度PCB设计中使用,同时具备良好的热性能和机械稳定性。其最大耗散功率为300 mW,能够承受一定的功率负载,适用于多种中低功率电路设计。
齐纳电压为13.6V,在测试电流为5mA时保持稳定,动态阻抗为900Ω,这保证了在负载变化时输出电压的稳定性。此外,LMSZ4688T1G具有较低的反向漏电流,典型值小于100nA,减少了在非导通状态下的功耗和干扰。
该器件的工作温度范围广泛,从-55°C到+150°C,适应各种极端环境下的工作需求。温度系数为+9.2 mV/°C,表明其电压稳定性受温度影响较小,适用于对温度漂移要求较高的电路设计。
由于采用了先进的半导体制造工艺,LMSZ4688T1G具备优异的长期稳定性和可靠性,适合用于工业控制、消费电子、汽车电子等对稳定性和可靠性有较高要求的应用场景。
LMSZ4688T1G广泛应用于各种电子设备和系统中,主要功能包括电压参考、电压钳位、稳压电路以及电源管理模块。在模拟电路中,它可以作为基准电压源,为运算放大器、ADC/DAC等提供稳定参考电压。在数字电路中,可用于保护接口电路免受过压损坏,确保系统稳定运行。
在电源管理领域,LMSZ4688T1G常用于DC-DC转换器、电池管理系统、稳压电源等,提供精确的电压调节功能。在汽车电子中,它可以用于车载电源稳压、传感器电压参考等场景。此外,该器件也适用于工业自动化设备、测量仪器、通信设备等对电压稳定性和精度要求较高的应用。
LMSZ4688T3G、LMSZ4688T5G、BZX84J13VLTP