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LMSZ4688ET1G 发布时间 时间:2025/8/13 7:35:53 查看 阅读:17

LMSZ4688ET1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的表面贴装齐纳二极管,适用于多种电压调节和参考应用。该器件采用 SOD-123 封装,具有紧凑的外形,非常适合空间受限的电子设计。齐纳二极管在反向击穿区域工作,提供稳定的参考电压,广泛应用于电源、电压检测和保护电路中。

参数

类型:齐纳二极管
  封装类型:SOD-123
  齐纳电压:4.7V
  容差:±5%
  最大齐纳电流:100mA
  功率耗散:300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  最大反向漏电流(VR):< 100nA
  最大齐纳阻抗(IZ = 10mA):700Ω

特性

LMSZ4688ET1G 齐纳二极管具有出色的电压稳定性和低温度系数,确保在不同环境条件下仍能提供可靠的参考电压。其 SOD-123 封装形式不仅节省空间,而且便于在自动化生产线上进行装配。该器件的低漏电流特性使其适用于低功耗设计,同时具备良好的热稳定性和耐用性。由于其紧凑的封装和高性能参数,LMSZ4688ET1G 成为众多电子系统设计中的理想选择。

应用

LMSZ4688ET1G 齐纳二极管广泛应用于电源管理电路中,作为电压参考和调节元件。在模拟和数字电路中,它可用于提供稳定的基准电压,确保系统运行的稳定性。此外,它也适用于过压保护电路、电压检测电路以及需要精确电压控制的场合,如电池管理系统、传感器接口电路和工业控制设备。

替代型号

LMSZ4688T1G, BZX84J4V7, MMSZ4688T1G

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