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LMSZ3V3T1G 发布时间 时间:2025/8/13 8:46:40 查看 阅读:6

LMSZ3V3T1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装(SMD)齐纳二极管(Zener Diode),其齐纳电压为3.3V。该器件广泛用于电压调节、参考电压源和保护电路中。由于其紧凑的SOD-123封装,使得LMSZ3V3T1G适用于高密度PCB布局,并具有良好的热稳定性和响应速度。

参数

齐纳电压(Vz):3.3V
  容差:±5%
  功率耗散(Pd):300mW
  最大齐纳电流(Izmax):100mA
  反向漏电流(IR):100nA @ VR=1V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOD-123

特性

LMSZ3V3T1G具备多种优良特性,使其在各种电子电路中具有广泛应用。首先,其3.3V的齐纳电压非常适用于低压逻辑电路和3.3V电源系统的电压基准或稳压应用。其次,±5%的电压容差确保了在不同工作条件下电压的稳定性,提高了系统的可靠性。此外,该器件的最大齐纳电流可达100mA,能够承受一定的负载变化,适用于中等功率的稳压场合。LMSZ3V3T1G采用SOD-123封装,体积小、重量轻,适合高密度PCB布局并提升整体系统设计的紧凑性。该封装还具有良好的热特性,有助于在连续工作时有效地散热。在电气特性方面,反向漏电流仅为100nA(在1V反向电压下),表明其在低电压下的漏电流控制能力较强,有助于降低系统待机功耗。LMSZ3V3T1G的工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于广泛的工业环境,包括高温和低温条件下的应用。此外,该器件的可靠性高,符合AEC-Q101汽车电子标准,适合用于汽车电子系统中的稳压与保护电路。
  综上所述,LMSZ3V3T1G是一款性能稳定、封装紧凑、适用于多种电子系统的齐纳二极管。

应用

LMSZ3V3T1G因其3.3V的稳定齐纳电压和优良的电气性能,广泛应用于多个电子领域。首先,在电源管理电路中,该器件常用作电压参考源或稳压元件,为低压系统提供稳定的参考电压。例如,在DC-DC转换器或LDO稳压器中,LMSZ3V3T1G可以作为反馈网络中的基准电压源,确保输出电压的精度和稳定性。其次,在嵌入式系统和微控制器系统中,该齐纳二极管可用于提供3.3V逻辑电平的参考电压,或者用于保护GPIO引脚免受过电压或静电放电(ESD)的损害。此外,LMSZ3V3T1G也常用于模拟电路中的偏置电压设置,例如运算放大器的偏置电路或ADC/DAC参考电压源。在汽车电子系统中,该器件可应用于车载娱乐系统、ECU(电子控制单元)或车载传感器模块中的稳压和保护电路。由于其符合AEC-Q101标准,因此适用于汽车环境中对可靠性和稳定性要求较高的应用场景。此外,在工业控制设备、通信模块、消费类电子产品(如智能手机、平板电脑)中,LMSZ3V3T1G也常被用作电源轨上的稳压器或电压参考源,确保电路在不同负载条件下保持稳定的工作电压。

替代型号

BZX84-C3V3, MMSZ4689T1G, ZMM3V3, 1N4728A

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