类型：齐纳二极管
　　封装类型：SOD-123
　　齐纳电压（Vz）：13V（典型值）
　　齐纳电流（Iz）：5mA（测试电流）
　　最大齐纳电流（Iz_max）：100mA
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

LMSZ13T1G齐纳二极管具有良好的电压稳定性和低动态电阻，能够在宽电流范围内保持稳定的输出电压。其SOD-123封装形式使其适用于高密度PCB设计，并具备良好的热性能和机械稳定性。
　　该器件在制造过程中采用了先进的硅扩散工艺，具有良好的温度稳定性和长期可靠性。LMSZ13T1G能够在不同负载条件下提供稳定的电压参考，适用于电源管理、电压监测、信号调节等多种电子系统设计。
　　此外，LMSZ13T1G还具备快速响应时间和良好的瞬态抑制能力，能够在电路中提供有效的过压保护功能。其低漏电流特性也使其适用于高精度模拟电路中的参考电压源。

LMSZ13T1G广泛应用于各种电子设备中，包括电源模块、电池管理系统、工业控制系统、通信设备、消费类电子产品等。它可以用于电压参考、过压保护、信号调节、稳压电源以及电压监测电路等场景。
　　在电源管理电路中，LMSZ13T1G常用于提供稳定的参考电压，以确保DC-DC转换器或线性稳压器的输出电压精度。在电池管理系统中，该器件可用于监测电池电压并在电压过高时触发保护机制。
　　在工业控制系统中，LMSZ13T1G可以作为电压基准用于模拟信号处理和传感器信号调节。在通信设备中，该齐纳二极管可用于保护敏感的射频和模拟电路免受静电放电（ESD）和瞬态电压的影响。

LMSZ13T3G、1N4742A-T