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LMSZ12ET1G 发布时间 时间:2025/8/13 13:42:45 查看 阅读:21

LMSZ12ET1G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装型齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件采用SOD-523封装,具有较小的尺寸和良好的热性能,适用于便携式设备和高密度电路设计。

参数

类型:齐纳二极管
  最大齐纳电压:12.7V
  最小齐纳电压:11.3V
  标称齐纳电压:12V
  齐纳电流:5mA
  最大功耗:200mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  存储温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOD-523

特性

LMSZ12ET1G齐纳二极管具有良好的电压稳定性,在规定的齐纳电流下能够提供精确的电压参考。其SOD-523封装形式使得该器件非常适合在空间受限的应用中使用。
  此外,该二极管具有较低的动态电阻,有助于在负载变化时保持输出电压的稳定。其快速响应时间和低漏电流特性使其在电池供电设备中表现出色。
  该器件符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺。LMSZ12ET1G的高可靠性和稳定性使其成为工业控制、消费类电子产品和电源管理系统中的常用元件。

应用

LMSZ12ET1G广泛应用于各种电子设备中,主要包括电压参考电路、电源稳压电路、电池充电器、电压监测电路以及模拟和数字电路中的基准电压源。此外,该器件也常用于通信设备、传感器接口电路和嵌入式系统中,以确保系统的稳定运行。
  在工业自动化和控制系统中,LMSZ12ET1G可用于提供精确的电压参考,以确保测量和控制精度。在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,该齐纳二极管可用于优化电源管理,延长电池寿命。

替代型号

LMSZ12ET1G的替代型号包括ZMM12、BZX84-C12、MM3Z12V、1N4742A等齐纳二极管。这些型号在封装形式、稳压值和电气特性上与LMSZ12ET1G相似,可以根据具体应用需求进行替换。

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