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LMSD301T1G 发布时间 时间:2025/8/13 7:51:18 查看 阅读:23

LMSD301T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 NPN 型双极性晶体管(BJT),主要用于低频功率放大和开关应用。该晶体管采用了先进的制造工艺,具有良好的热稳定性和可靠性,适用于消费类电子、工业控制、电源管理和汽车电子等多个领域。LMSD301T1G 封装为 SOT-223,适合表面贴装,便于在现代 PCB 设计中使用。

参数

类型:NPN 双极型晶体管
  最大集电极电流 (Ic):3 A
  最大集电极-发射极电压 (Vce):80 V
  最大集电极-基极电压 (Vcb):100 V
  最大功耗 (Ptot):2 W(在 Tc=25°C)
  最大工作温度:150°C
  电流增益 (hFE):在 Ic=150 mA 时,分为不同等级(例如 hFE 最小为 60 到 300)
  过渡频率 (fT):100 MHz(典型值)
  封装类型:SOT-223

特性

LMSD301T1G 晶体管具备多项优异的电气和热性能,使其在多种应用场景中表现出色。
  首先,该器件的最大集电极电流为 3A,最大集电极-发射极电压为 80V,能够支持中等功率级别的应用,如音频放大器输出级、电源开关电路等。其高耐压特性也使其在电源管理电路中具有较高的可靠性。
  其次,LMSD301T1G 的 hFE(电流增益)在 Ic=150mA 时可达到 60 至 300 的范围,具体取决于器件等级,这使得它在放大和开关电路中都具有良好的适应性。高 hFE 特性可以降低基极驱动电流的需求,提高电路效率。
  此外,该晶体管采用了 SOT-223 表面贴装封装,具有较小的体积和良好的散热性能。SOT-223 封装结构设计有助于提高热稳定性,确保器件在较高工作电流下仍能保持较低的温度上升。
  其过渡频率 fT 典型值为 100MHz,表明该晶体管在低频到中频范围内具有良好的频率响应,适用于音频放大、低频振荡器和脉宽调制(PWM)控制等应用。
  LMSD301T1G 还具有良好的热关断和过载保护能力,适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。其封装材料符合 RoHS 环保标准,适用于现代环保型电子产品设计。

应用

LMSD301T1G 主要用于需要中等功率放大和开关功能的电子系统中。
  一个典型应用是音频放大器的输出级。由于其较高的集电极电流能力和良好的频率响应,LMSD301T1G 被广泛用于低频音频放大电路中,特别是在小功率音响设备、收音机和便携式音频播放器中。
  另一个常见应用是作为功率开关使用。在电源管理、DC-DC 转换器和电机驱动电路中,LMSD301T1G 可以用于控制负载的通断,其高电流容量和低饱和电压特性有助于提高能效并减少发热。
  此外,该晶体管也可用于继电器驱动、LED 驱动和电池充电电路。由于其高 hFE 特性,可以有效减少控制电路的负担,提高系统整体效率。
  在工业控制领域,LMSD301T1G 常用于 PLC 输入输出模块、传感器信号放大和执行器控制电路中。其高可靠性和热稳定性使其在恶劣工业环境中仍能保持稳定工作。
  在汽车电子系统中,LMSD301T1G 可用于车灯控制、电机驱动和车载音响系统。其封装设计符合汽车级工作温度范围,能够在高温环境下稳定运行。

替代型号

TIP31C, BD243C, 2SD1047

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