LMP21D5N3T5G 时间：2025/8/13 22:36:41 阅读：20

LMP21D5N3T5G是一款双极型晶体管（BJT），设计用于高频放大和开关应用。该器件采用了先进的硅外延平面技术，确保了良好的高频特性和可靠性。该晶体管采用SOT-23封装，体积小巧，适合在空间受限的电路设计中使用。LMP21D5N3T5G的工作温度范围宽，能够在-55°C至+150°C之间稳定运行，适用于各种工业和消费类电子设备。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同的Ic和Vce条件）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　封装类型：SOT-23

特性

LMP21D5N3T5G具有优良的高频性能，适用于射频（RF）和中频（IF）放大器的设计。其高增益特性使得该晶体管在低噪声放大器中表现出色。此外，该器件的开关速度快，适用于高频开关电路。LMP21D5N3T5G的低饱和压降（Vce_sat）有助于减少功耗并提高效率。该晶体管的封装形式SOT-23便于自动化装配，并具有良好的热稳定性。在温度变化较大的环境中，LMP21D5N3T5G依然能够保持稳定的性能。其坚固的结构和优良的制造工艺确保了长期使用的可靠性。
　　此外，该晶体管具有较低的寄生电容，有助于减少高频信号的损耗，提高信号完整性。LMP21D5N3T5G还具备良好的抗静电能力，能够有效防止静电放电（ESD）对器件的损害。这些特性使得LMP21D5N3T5G在多种应用中具有广泛的适用性。

应用

LMP21D5N3T5G广泛应用于高频放大器、射频模块、无线通信设备、音频放大器、数字开关电路、传感器接口电路以及各种便携式电子设备。由于其高频性能和低功耗特性，LMP21D5N3T5G特别适合用于射频接收器和发射器中的前置放大器、混频器和振荡器电路。此外，该晶体管也常用于电源管理电路和电机控制电路中，以提高系统的效率和稳定性。在消费类电子产品中，LMP21D5N3T5G可用于音频设备、无线遥控器、智能家居控制器等设备的信号处理和放大电路。工业控制和自动化设备中也常见该晶体管的身影，用于精确的信号处理和控制功能。