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LMNP04SB3R3N 发布时间 时间:2025/12/27 10:20:07 查看 阅读:17

LMNP04SB3R3N是一款由松下(Panasonic)生产的多层陶瓷片式电感器(MLCI,Multi-Layer Ceramic Chip Inductor),属于其LMNP系列。该系列产品专为高频应用环境设计,具有高Q值、低直流电阻(DCR)和良好的温度稳定性等特点,适用于现代便携式电子设备中的射频(RF)电路和电源管理模块。LMNP04SB3R3N的具体电感值为3.3nH,允许偏差通常为±0.1nH或±0.2nH,适用于对电感精度要求较高的高频匹配网络。该器件采用0402小型化封装(公制尺寸1005),即长度约为1.0mm,宽度约为0.5mm,高度低至0.5mm以下,适合高密度贴装的印刷电路板(PCB)设计。其结构基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术,通过多层陶瓷与内部螺旋导体堆叠烧结而成,实现紧凑体积下的高性能电感特性。由于其优异的高频响应和稳定的电气性能,LMNP04SB3R3N广泛应用于智能手机、无线通信模块、Wi-Fi/蓝牙射频前端、毫米波雷达以及5G射频电路中。此外,该器件具备良好的抗热冲击能力和焊接可靠性,符合RoHS环保标准,支持无铅回流焊工艺,适用于自动化SMT(表面贴装技术)生产线。

参数

产品类型:多层陶瓷片式电感器
  电感值:3.3nH
  电感公差:±0.2nH
  自谐振频率(SRF):典型值≥6GHz
  最大直流电阻(DCR):约0.35Ω
  额定电流(Irms):约300mA(基于温升40°C)
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  存储温度范围:-55°C 至 +125°C
  封装尺寸:0402(1.0mm x 0.5mm)
  端电极材料:Ni/Sn镀层
  安装方式:表面贴装(SMT)
  符合标准:RoHS合规,无卤素

特性

LMNP04SB3R3N采用先进的低温共烧陶瓷(LTCC)制造工艺,使其在极小的0402封装内实现了卓越的高频性能和稳定的电感特性。其核心优势之一是高Q值,在1GHz频率下Q值可达到45以上,显著优于传统绕线式或薄膜电感器,这使得它在射频匹配网络中能够有效降低信号损耗,提升系统效率与灵敏度。高Q值意味着较低的能量损耗和更高的选择性,对于无线通信系统的接收链路尤其重要,有助于改善信噪比和接收性能。
  该器件的电感值极为稳定,公差控制在±0.2nH以内,满足高端射频电路对元件精度的严苛要求。这种高精度特性减少了因元件偏差导致的调谐难度,提高了生产良率和产品一致性。同时,其自谐振频率(SRF)高达6GHz以上,确保在5G sub-6GHz及Wi-Fi 6E等高频应用场景下仍能保持良好的电感行为,避免因接近谐振点而导致的阻抗失真或性能下降。
  LMNP04SB3R3N具备较低的直流电阻(DCR),典型值约为0.35Ω,有助于减少功率损耗,提高电源效率,尤其适用于电池供电的移动设备。其额定电流可达300mA,足以应对多数射频放大器偏置电路或滤波网络的电流需求。此外,器件具有出色的温度稳定性,在-55°C至+125°C宽温范围内电感值变化极小,保证了极端环境下的可靠运行。
  机械结构方面,该电感器采用全陶瓷基体和坚固的端电极设计,具备良好的抗机械应力和热循环能力,可承受多次回流焊过程而不损坏。其Ni/Sn端电极为标准无铅焊接兼容结构,支持自动化贴片工艺,适用于大规模生产。整体设计兼顾高频性能、小型化、可靠性和可制造性,是现代高频电子系统中理想的微型电感解决方案。

应用

LMNP04SB3R3N主要应用于高频射频电路和高速数字系统中的信号匹配、滤波和去耦等关键功能。其典型使用场景包括智能手机中的5G NR和LTE射频前端模块(FEM),用于天线调谐、功率放大器输出匹配网络以及低噪声放大器输入匹配电路。在这些应用中,该电感器需与其他表面贴装元件(如电容、SAW滤波器)共同构成π型或T型匹配网络,以实现最大功率传输和最小反射损耗。
  此外,该器件广泛用于Wi-Fi 6/6E(2.4GHz、5GHz、6GHz频段)和蓝牙/BLE无线模块中,作为LC谐振电路的一部分,用于频率选择和阻抗匹配。在毫米波雷达系统(如汽车ADAS中的77GHz雷达前端)中,虽然主频较高,但其低寄生参数特性也使其可用于中频或本振信号处理路径中的滤波和耦合电路。
  在高速数字电路中,LMNP04SB3R3N可用于电源去耦和噪声抑制,特别是在为高速ADC、DAC或RFIC供电的旁路电路中,配合陶瓷电容形成高频滤波网络,有效滤除开关噪声和射频干扰。其小型化封装特别适合可穿戴设备、TWS耳机、物联网终端等空间受限的产品设计。
  由于其高精度和高稳定性,该电感器也被用于测试测量仪器、高频振荡器和谐波抑制电路中,作为精密LC元件参与频率设定和信号调理。总体而言,LMNP04SB3R3N凭借其优异的高频特性和微型化优势,成为现代无线通信和高频电子系统中不可或缺的基础元件之一。

替代型号

LQP03TN3N3B02D
  DLW21HN3R3XK-7
  LL1005S-R3N

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